Технические характеристики:

• Номер модели - BSS123W-7-F
• Происхождение - Материковый Китай

Полное описание

Категория продукта:

MOSFET

RoHS:

ТЕХНОЛОГИЯ:

Si

Тип монтажа:

SMD/SMT

Упаковка /Кейс:

SOT-323-3

Полярность транзистора:

N-канальный

Количество каналов:

1 канал

Vds - напряжение пробоя Сток-исток:

100 В

Id - постоянный ток стока:

170 мА

Сопротивление Rds на стоке-истоке:

6 Ом

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 20 V, + 20 V

Пороговое напряжение источника th-затвора Vgs:

800 мВ

Заряд Qg- затвора:

-

Минимальная рабочая температура:

- 55 ° C

Максимальная рабочая температура:

+ 150 ° C

Pd - рассеиваемая мощность:

200 МВт

Режим канала:

Улучшение

Серии:

Упаковка:

Катушка

Упаковка:

Разрезанная лента

Упаковка:

Указатель мыши

Бренд:

Встроенные диоды

Конфигурация:

Одиночный

Время спада:

8 нс

Прямая проводимость - не менее:

0,08 С, 0,37 С

Высота:

1 мм

Длина:

2,2 мм

Продукт:

MOSFET Слабый сигнал

Тип продукта:

MOSFET

Время нарастания:

8 нс

Количество в заводской упаковке:

3000

Подкатегория:

МОП-транзисторы

Тип транзистора:

1 N-канальный

Тип:

Полевой транзистор с улучшенным режимом работы

Типичное время задержки выключения:

13 нс

Типичное время задержки включения:

8 нс

Ширина:

1,35 мм

Вес единицы измерения:

0,000212 унции